InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion Coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing )

시상기 ,  윤경훈 ,  여덕호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing )

시상기 ,  윤경훈 ,  여덕호 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

InGaAsP / InP 광병렬 기억 장치 ( InGaAsP / InP Photonic Parallel Memory )

이두환 ,  변상기 ,  정지현 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

1.55μm 파장의 InGaAsP / InP DH 레이저의 제작 ( Fabrication of 1.55μm Wavelength InGaAsP / InP Double Heterostructure Laser )

김홍구 ,  심종인 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

1.3μm InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain 에 대한 의존성 조사 ( The Influence of Strain on the Characteristic Temperature of 1.3 InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )

이정석 ,  지정근 ,  계용찬 외 3명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

1.3 ㎛ InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain에 대한 의존성 조사 ( The Influence of strain on the Characteristic Temperature of 1.3㎛ InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )

이정석 ,  지정근 ,  계용찬 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Exciton Binding Energies in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP Quantum Well Structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1997 .12

Effects of magnetic field on the excitonic photoluminescence linewidth due to interfacial quality in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP quantum well structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1998 .10

1.3 InGaAsP / InP 양자우물구조 레이저 다이오드의 고온동작특성 ( High Temperature Operation of 1.3 InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )

양민 ,  김종석 ,  조인성 외 6명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1997 .01

1.3 ㎛ InGaAsP / InP 양자우물 구조 레이저 다이오드의 고온동작 특성 ( High Temperature Operation of 1.3㎛ InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )

양민 ,  김종석 ,  조인성 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

1.55 μm InGaAsP/InP Laser Amplifier Gate Switch Arrays

Sang Min Lee ,  Kwan Ryong Oh ,  Joo Heon Ahn 외 5명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

n-InP / p-InGaAsP / n-InP 이중 이종접합구조 트랜지스터의 제작과 특성 ( FABRIFICATION OF n-InP / p-InGaAsP / n-InP DOUBLE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS STATIC CHARACTERISTICS )

오광룡 ,  김정수 ,  김상배 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

1.3μ InGaAsP/InP Strained Multi-Quantum Well Lasers with Short Turn-on Delay Time Operation at High Temperature due to an n-Type Modulation-doped Effect

K. Nakaha ,  a ,  T. Taniawata 외 3명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

Zn₃P₂를 Source로 한 n⁺ -InP, u-InP, u-InGaAs 및 u-InGaAsP 의 Zn확산

김돈수 ,  김남준 ,  김앙서 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

1.5 ㎛ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 레이저의 상온 연속발진 특성 분석

임정순 ,  이재훈 ,  이동한 외 4명

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

Dependence of High-Speed Properties on InGaAsP-InGaAsP MQW ( Multiple-Quantum -Well ) Structures in 1.55 μm λ/4-Shifted DFB Lasers

Jong In Shim ,  Tae Il Kim

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

Strain Relaxation Behavior of InGaAsP Epilayer Grown on InP Substrate

Hee Dae Kim ,  Sang Wan Ryu ,  Weon Guk Jeong 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

InGaAsP/InP Photonic Parallel Memory

Doo-Hwan Lee ,  Key-Hwan Oh

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

1991 .08

InGaAsP/InP Photonic Parallel Memory

Doo Hwan Lee ,  Key Hwan Oh

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1991 .01

Zn3P2를 Source로 한 n+ -InP , u -InP , u -InGaAS 및 u -InGaAsP 의 Zn확산 ( Zn Diffusion in n+ -InP , u -Inp , u -InGaAs and u -InGaAsP with Zn3P2 Source )

김돈수 ,  김남준 ,  김앙서 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11