OPTIMIZATION OF P CONCENTRATION FOR THE IMPROVEMENT OF FLOW CHARACTERISTICS IN THE PSG INTERLAYERS OF NMOS DEVICES

Seong Pil Kim ,  Jae Geun Pa ,  k 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

NMOS 소자의 제작 및 평가 ( Fabrication and Evaluation of NMOS Devices )

이종덕

전자공학회지

1979 .09

광집적회로를 위한 PSG 박막 특성에 관한 연구

김상덕 ,  윤중현 ,  이재규 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1993 .07

70 ㎚ nMOS의 RF 적용을 위한 transistor matching

최현식 ,  홍승호 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

2006 .06

PSG층의 경사부식 ( Taper Etching of Phosphosilicate Glass ( PSG ) Layer )

이재균 ,  최연익 ,  장홍조

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

NMOS , CMOS제작공정

이종덕

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

천연망간산화물과 버네사이트에 의한 1-Naphthol의 제거 특성 비교

이두희 ,  한윤이 ,  강기훈 외 1명

대한환경공학회지

2009 .04

스텝 커버리지를 위한 PSG와 금속처리 공정 조건의 개선 ( Optimization of PSG Flowing and Metallization for Step Coverage Improvement )

김도진 ,  이종덕

전자공학회지

1982 .12

반도체 소자의 표면보호용 PSG/SiN 절연막의 스트레스 거동

김영욱 ,  신홍재 ,  하정민 외 2명

한국재료학회지

1991 .01

900MHz NMOS 위상 천이 발진기 설계 ( Design of 900MHz NMOS Phase Shift Oscillator )

조상인 ,  성경진 ,  황인갑 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

테스트가 용이한 순서 NMOS PLA의 설계

정수성 ,  이철원 ,  한석붕 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1987 .07

NMOS 회로를 이용한 Variable Threshold Logic

김철

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

PECVD PSG의 유전 및 보호막 특성에 관한 연구 ( Dielectric and Passivation-Related Properties of PECVD PSG )

유현규 ,  강영일

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

PECVD PSG의 유전 및 보호막특성에 관한 연구 ( Dielectric and Passivation-Related Properties of PECVD PSG )

유현규 ,  강영일

전자공학회지

1985 .03

PECVD PSG 의 유전 및 보호막 특성에 관한 연구

유현규 ,  강영일

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

선증착 과정에서 PSG 두께 변화에 따른 에미터 특성 분석

이희준 ,  강민구 ,  송희은

한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집

2013 .05

NMOS 회로를 이용한 Variable Threshold Logic ( Variable Threshold Logic Implemented With NMOS Circuitry )

김철

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

Dynamic NMOS Shift Register Used for Image Sensor

김용범 ,  박상식 ,  이종덕 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1987 .05

Image Sensor에 사용되는 Dynamic NMOS Shift Register의 설계 ( Design of Dynamic NMOS Shift Register Used for Image Sensor )

김용범 ,  박상식 ,  조철식 외 1명

전자공학회논문지

1987 .05

소자 시뮬레이션을 이용한 ESD 보호용 NMOS 트랜지스터의 항복특성 분석 ( Analysis on the Breakdown Characteristics of ESD - protection NMOS Transistors Based on Device Simulations )

최진영 ,  임주섭

전자공학회논문지-D

1997 .11