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대한전자공학회 전자공학회논문지-A 전자공학회논문지 A편 제33권 제7호
발행연도
1996.7
수록면
1,383 - 1,395 (13page)

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이 논문의 연구 히스토리 (15)

1997

경사진 활성층을 가진 1.3 ㎛ 반도체 레이저 제작 ( Fabrication of 1.3㎛ Tapered Active Stripe Lasers )
조호성 ,  김정수 ,  박경현 외 3명 대한전자공학회 학술대회 1997.01 학술대회자료
측방향으로 기울어진 활성층을 가진 1.3㎛ GaInAsP / InP 반도체 레이저 ( 1.3㎛ GaInAsP / InP Laser Diode with Laterally Tapered Active Layer )
조호성 ,  홍창희 대한전자공학회 학술대회 1997.01 학술대회자료
경사진 활성층을 가진 1.3 반도체 레이저 제작 ( Fabrication of 1.3 Tapered Active Stripe Lasers )
조호성 ,  김정수 ,  박경현 외 3명 한국통신학회 광전자공학 학술회의 1997.01 학술대회자료

1996

응력완화 1,3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD의 다중양자우물층과 SCH층 구조에 따른 동작 특성 ( The Operating Characteristics of Strain-Compensated 1.3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD with the Structure of Multiple Quantum Well and Separate Confinement Heterostructure Layers )
조호성 ,  박경현 ,  이중기 외 6명 전자공학회논문지-A 1996.07 학술저널

1995

저압 유기금속 기상화학증착법에 의한 1.3μm InGaAsP / InP UNCOOLED - LD 의 제작 ( Fabrication of 1.3 μm InGaAsP / InP Uncooled - LD Using Low Pressure MOVPE )
조호성 ,  김정수 ,  이중기 외 6명 전자공학회논문지-A 1995.06 학술저널
활성층과 장벽층에 따른 응력완화 다중 양자 우물 uncooled-LD의 동작 특성 ( The Operating Characteristics of Strain-compensated Multiple Quantum Well Uncooled-LD with Active and Barrier Layers )
조호성 ,  이중기 ,  장동훈 외 6명 대한전자공학회 기타 간행물 1995.01 연구보고서
활성층과 장벽층에 따른 응력완화 다중양자우물 uncooled-LD의 동작특성 ( The Operating Characteristics of Strain-compensated Multiple Quantum Well Uncooled-LD with Active and Barrier Layers )
조호성 ,  이중기 ,  장동훈 외 6명 한국통신학회 기타 간행물 1995.01 학술대회자료

1994

LPE 방법으로 제작된 InGaAsP / InP MQW - LD 의 광학적 특성조사 ( An Investigation of Optical Characteristics of InGaAsP / InP MQW - LD Fabricated by LPE Method )
조호성 ,  박윤호 ,  홍창희 전자공학회논문지-A 1994.10 학술저널
저동작 전류 1.3μm PBH-MQW-LD의 제작 ( Fabrication of Low Operating Current 1.3μm Wavelength PBH-MQW-LD )
조호성 ,  장동훈 ,  이중기 외 5명 대한전자공학회 학술대회 1994.01 학술대회자료
저동작 전류 1.4um PBH-MQW-LD의 제작 ( Fabrication of Low Operating Current 1.3um Wavelength PBF-MQW-LD )
조호성 ,  장동훈 ,  이중기 외 5명 한국통신학회 광전자공학 학술회의 1994.01 학술대회자료

1992

액상결정성장에 의한 InGaAsP / InP MQW - LD 제작에 관한 연구
조호성 ,  홍창희 ,  오종환 외 2명 한국광학회지 1992.12 학술저널
LPE 에 의한 InGaAsP / InP MQW-LD제작에 관한 연구
조호성 ,  오종환 ,  예병덕 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1992.07 학술대회자료
LPE에 의한 InGaAsp/Inp MQW-LD제작에 관한 연구
조호성 ,  오종환 ,  예병덕 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1992.06 학술대회자료

1990

수직형LPE에 의한 InGaAsP ( 1.3μm ) / InP 다층박막 결정성장 ( The Thin Multi Layer Crystal Growth of InGaAsP ( 1.3μm ) / InP by Vertical LPE System )
조호성 ,  오종환 ,  김경식 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1990.07 학술대회자료

1989

LPE에 있어서 InP기판의 열손상 상태와 melt back 특성 ( Thermal Damages and Melt Back Characteristics of InP Substrate in the LPE Growth )
조호성 ,  오종환 ,  홍창희 대한전자공학회 학술대회 1989.01 학술대회자료

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