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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제1호
발행연도
2003.1
수록면
20 - 28 (9page)

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본 논문에서는 대면적, 고화질 TFT-LCD 개발 및 제작을 위해 전기적인 플리커(flicker)를 정량적으로 정의하고, 비정질 실리콘(a-Si:H) TFT와 SMC(silicide mediated crystallization), ELA(excimer laser annealed) 및 LBT(counter-doped lateral body terminal) 방법으로 제작된 다결정 실리콘(poly-Si) TFT들에 대하여 40＂UXGA 급 TFT-LCD 어레이(array)에서의 플리커 현상을 분석 비교하였다. 플리커 현상은 충전 시간, 킥백(kick-back) 전압 및 누설 전류에 의해 기인하는데, 이러한 각 원인이 세 가지 TFT 각각의 경우에 어느 정도 플리커에 영향을 끼치는 지를 정량적으로 분석하였다. 또한, 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이인 경우, 비정질 실리콘에 비해 큰 누설 전류 때문에 플리커를 최소화할 수 있도록 낮은 레벨의 게이트 전압을 설정해야 한다는 것을 정량적으로 보였다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 비정질 및 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이의 플리커 모델링

Ⅲ. 플리커 시뮬레이션 결과 및 분석

Ⅳ. 결론

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