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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제39권 제4호
발행연도
2002.4
수록면
35 - 40 (6page)

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일함수가 낮은 바나듐과 몰리브덴을 장벽금속으로 사용하여 초절전형 SBR을 제조하였다. 일함수가 낮은 장벽금속을 사용함으로서 나타나는 역방향 누설전류를 감소시키기 위해 n-Si층에 아르곤 이온을 1×10＾14 ion/㎠, 40 keV로 주입하였다. 제조된 소자의 전기적 특성은 60 A/㎠의 동일한 전류밀도에서 Mo-SBR의 VF는 0.39 V이고 V-SBR은 0.25 V로서 매우 낮은 VF를 나타내었다. 이에 따라 아르곤 이온주입에 의해 제조된 V-SBR의 역방향 누설전류는 일반적인 V-SBR과 비교하여 20 μA이상 감소됨을 확인할 수 있었다. 또한, 아르곤 이온주입으로 인한 소자의 특성저하는 나타나지 않았다.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 설계 및 실험

Ⅲ. 결과 및 고찰

Ⅳ. 결 론

참고문헌

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