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한국통신학회 한국통신학회논문지 한국통신학회논문지 제27권 5C호
발행연도
2002.5
수록면
522 - 529 (8page)

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GaAs pHEMT 기술로 V-band 수신단 각 MMIC 화로들을 설계 제작하였다. 또한 이를 집적하여 V-band downconverter module을 제작하였다. 제작된 downconverter module을 제작하였다. 제작된 downconverter는 24 dBm의 출력을 내는 LO 구동 전력 증폭기, 20dB의 소신호 이득을 가지는 저잡음중폭기, -1.6dBm의 출력을 내는 active parallel type의 발진기, 6 dB 이상의 변환이득 특성을 나타내는 cascode type의 혼합기로 구성되어 있다. 이처럼 혼합기의 우수한 변환이득 특성은 밀리미터파 대역에서 변환 이득 특성을 키우기 위해 반드시 필요한 거대한 IF buffer amplifier의 필요를 없애 주었다. 완성된 downconverter module의 측정결과 별도의 IF buffer amplifier없이 57.5GHz와 61.7 GHz 사이에서 20 dB 이상의 높은 변환이득을 얻을 수 있었다.

목차

요약

ABSTRACT

Ⅰ.서론

Ⅱ.Circuit Description

Ⅲ.V-band Downconverter module

Ⅳ.결론

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