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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.4 No.2
- 발행연도
- 2004.6
- 수록면
- 83 - 87 (5page)
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Phase noise performance and current consumption of Radio Frequency (RF) Voltage Controlled Oscillator (VCO) are largely dependent on the Quality (Q) factor of inductor-capacitor (LC) tank. Because the Q-factor of LC tank is determined by on-chip spiral inductor, we designed, analyzed, and modeled on-chip differential inductor to enhance differential Q-factor, reduce current consumption and save silicon area. The simulated inductance is 3.3nH and Q-factor is 15 at 2 GHz. Self-resonanc frequency is as high as 13GHz. To verify its use to RF applications, we designed 2 GHz differential LC VCO. The measurement result of phase noise is -112dBc/Hz at an offset frequency of 100kHz from a 2 GHz carrier frequency. Tuning range is about 500 MHz (25%), and current consumption varies from 5mA to 8.4 mA using bias control technique. Implemented in 0.35-um SiGe BiCMOS technology, the VCO occupies 400 um x 800um of silicon area.
목차
ABSTRACT
1.INTRODUCTION
2.ON-CHIP DIFFERENTIAL INDUCTOR
3.VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATOR DESIGN
4.MEASUREMENT RESULTS
5.CONCLUSION
REFERENCES
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