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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제15권 제7호
발행연도
2004.7
수록면
713 - 721 (9page)

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본 논문은 InGaP/GaAs HBT를 사용하여 5.4GHz 대역의 고성능 저잡음 증폭기를 제안하였다. 기존에 InGaP/GaAs HBT는 고전력 증폭기 설계에 주로 사용되어 왔으나, 최근 RF 단일칩화를 위한 소자로 인식되고 있다. 이에 InGaP/GaAs HBT 소자를 이용한 저잡음 증폭기 설계에 대한 연구가 선행되어야 하며, 본 논문에서는 InGaP/GaAs HBT의 우수한 선형성 특성과 잡음 특성을 이용하여 뛰어난 성능의 저잡음 증폭기를 설계 및 제작 하였다. 제안된 저잡음 증폭기는 높은 Q의 나선형 인덕터와 MIM 형태의 캐패시터 등의 수동 소자와 능동 소자가 모두 한 칩에 집적화 되어 입출력 패드와 함께 0.9×0.9㎟의 면적에 집적화 되었다. 제안된 저잡음 증폭기는 최적의 동작점을 선택해 이득과 잡음 지수를 최적화 하였으며, 더볼어 우수한 선형성을 얻을 수 있었다. 측정 결과 제작된 저잡음 증폭기는 13 dB의 이득과 2.1 dB의 우수한 잡음 지수를 보였으며, IIP3 5.5 dBm의 우수한 선형성이 측정되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 회로 설계

3. 실험 및 결과 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
, 2003. , Nonlinear Microwave and RF Circuits google schola , sep.1989. , GaAs heterojuction bipolar transistor device and IC technology for high performance analog and microwave applications mtt-37 : 1286 ~ 1303 google schola , oct.1989. , low dc power GaAs HBT broadband amplifiers to 11 GHz : 79 ~ 82 google schola , 1987. , Buried-channel GaAs MESFETs with improved small-signal characteristics : 163 ~ 166 google schola , 1998. , The Design of CMOS Radio- Frequency Integrated Circuits google schola

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