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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제9호
발행연도
2004.9
수록면
31 - 37 (7page)

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oxide 층의 위치와 두께 조절을 통하여 oxide-VCSEL이 단일모드로 동작하는 활성영역의 반경을 확장하는 방법을 Self-consistent effective-index 방법을 이용하여 제시하였다. 이렇게 활성영역이 넓어지면 고속, 고신뢰도, 고출력 동작에 유리한 단일모드 VCSEL을 만들 수 있게 된다. 고출력을 위하여 단일모드로 동작하는 활성영역을 확대하는 방법을 요약하면 다음과 같다. 첫째, oxide 층은 활성층에서 멀리 떨어진 곳에 위치시켜야 한다. 둘째, oxide 층은 얇게 만들어야 한다. 셋째, oxide 층을 node에 위치시켜야 한다. 그리고 고출력을 위하여 p-DBR 쌍의 수를 줄이는 것은 단일모드 동작조건을 변화시키지 않는다. 이 방법을 사용하면 단일모드로 동작하는 oxide-aperture 크기를 300% 이상 키울 수 있다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ.서론

Ⅱ.Oxide-aperture 크기에 따른 850㎚ oxide-VCSEL의 모드별 발진파장, 발진모드, 광집속 계수 계산

Ⅲ.Oxide층의 위치와 두께에 따른 발진파장과 발진모드 분석

Ⅳ.Node와 anti-node 위치에 따른 발진파장과 발진모드 분석

Ⅴ.문턱이득을 고려한 단일모드 동작조건

Ⅵ.결론

참고문헌

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참고문헌 (14)

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