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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.2 No.4
- 발행연도
- 1997.8
- 수록면
- 99 - 105 (7page)
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The new classified model for N-p heterojunction diode is derived and used extensively in analyzing the current-voltage(Ⅰ-Ⅴ) characteristics of the HBTs. A new classification method is presented in order to simplifyⅠ-Ⅴ equations and easily applied to the modeling of HBTs. This classification method is characterized by the properties of devices such as the high level injection, the thickness of one or both bulk regions, the surface recombination and the generation-recombination. The simulation results using the proposed model agree well with the experimentally observed Ⅰ-Ⅴ behaviors and show good efficiencies in its application to HBTs with respect to mathematical formulation.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Derivations of N-p Heterojunction Diode Model
Ⅲ. Application to N-p-n HBT
Ⅳ. Results and Discussions
Ⅴ. Conclusion
References
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