The influence of LT - GaN buffer layer on the residual stress of GaN film using AlN buffer layer on Si(111) substrate

Sung-Hoon Jung ,  Jeong Wook Lee ,  In-Hwan Lee 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2002 .02

Growth of TiO₂ Thin Films on Si(100) and Si(111) Substrates Using Single Molecular Precursor by MOCVD and Comparision of Growth Mechanism and Structural Properties

C.-K. Jung ,  B.-C. Kang ,  H.-Y. Chae 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2001 .02

Growth behavior and structural properties of titanium dioxide thin films on Si(100) and Si(111) substrates using single molecular precursor by high vacuum MOCVD

C. -K. Jung ,  B.-C. Kang ,  H.-Y. Chae 외 7명

한국진공학회 학술발표회초록집

2001 .07

Structural study of a GaN layer grown on(001)GaAs by MOCVD

배인태 ,  성태연 ,  박용주 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .02

Si (111) 기판 위에 다양한 AlN 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성 비교

신희연 ,  이정욱 ,  정성훈 외 2명

Applied Science and Convergence Technology

2002 .04

Growth of TiO₂ thin films on Si(100) and Si(111) substrates using MOCVD and comparison of growth behavior and structural properties

C.-K. Jung ,  S.-B. Lee ,  J.-H. Boo

한국진공학회 학술발표회초록집

2002 .02

Optimization of GaN epitaxial growth by low - pressure MOCVD

Chang-Hee Hong ,  Yuen-Ho Choi ,  Bae-Young Kim

한국진공학회 학술발표회초록집

1996 .06

Fabrication of the catalyst free GaN nanorods on Si grown by MOCVD

Suk-min Ko ,  Yong-Hoon Cho

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

Growth of Preferentially Oriented GaN Thin Films on Si Substrates Using A New Single Precursor by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

Sang Hun Lee ,  Sung Yong Lee ,  Seung Ho Yoo 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2000 .07

Growth conditions and optical properties of self - assembled GaN nanorod grown on (111) Si substrate without buffer layer

C. M. Pa ,  k ,  Y. S. Pa 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2004 .08

Preparation of HfO₂ thin films by MOCVD using the novel single precursor, Hf(mp)₄

양택승 ,  이은주 ,  장홍석 외 6명

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2004 .08

Growth and characterization of molecular beam epitaxy grown GaN thin films using single source precursor with ammonia

P. V. Chand ,  aseka ,  Hyunchul Lim 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

Low-temperature growth of wafer-scale MoS₂ by MOCVD

Jihun MUN ,  Chegal WON ,  Jeong Won KIM 외 2명

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2016 .08

Fabrication of GaN Ring Structure with Broad-band Emission Using MOCVD and Wet Etching Techniques

Young-Chul Sim ,  Seung-Hyuk Lim ,  Yong-Hoon Cho

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2016 .02

MOCVD and Characterization of ZnO Thin Films Using and Aminoalkoxide Single Precursor

Ju Yeon Kim ,  Min Chan Kim ,  Young Kuk Lee 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2004 .08

MOCVD growth of GaN and InGaN in a rotating - disk reactor

문용태 ,  김동준 ,  안광순 외 4명

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1998 .02

MOCVD 장치 개발

석창길

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1996 .02

질화물계 발광다이오드에서 InGaN/GaN 양자우물구조 내 GaN 보호층에 대한 연구

송기룡 ,  김지훈 ,  이성남

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2013 .02

Homo-buffer layer effect on ZnO nanorods grown by MOCVD

곽창하 ,  박순홍 ,  서수영 외 3명

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2006 .08

The effect of nucleation layer growth rate on structural and electrical properties of GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)

김동준 ,  문용태 ,  안광순 외 2명

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1998 .07