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Heterojunction solar cells of n-Cd_₁-xZn_xS/p-Si were fabricated by solution growth technique. The crystal structure, spectral response, surface morphology, and Ⅰ-Ⅴ characteristics of the n-Cd_₁-xZn_xS/p-Si heterojunction solar cells were studied.
The Cd_₁-xZn_x S layer deposited on a silicon substrate (111) were found to be a
cubic structure with the crystal orientation (111), (220) of the CdS and to be a hexagonal structure with crystal orientation (100) of the ZnS.
The open-circuit voltage, short-circuit current, fill factor, and conversion efficiency of n-Cd_₁-xZn_xS/p-Si heterojunction solar cell under 100㎽/㎠ illumination were found to be 0.43V, 38㎃. 0.76, and 12.4%, respectively.
The Cd_₁-xZn_x S layer deposited on a silicon substrate (111) were found to be a
cubic structure with the crystal orientation (111), (220) of the CdS and to be a hexagonal structure with crystal orientation (100) of the ZnS.
The open-circuit voltage, short-circuit current, fill factor, and conversion efficiency of n-Cd_₁-xZn_xS/p-Si heterojunction solar cell under 100㎽/㎠ illumination were found to be 0.43V, 38㎃. 0.76, and 12.4%, respectively.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
후기
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