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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.5
- 수록면
- 145 - 153 (9page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (15)
2007
2004
2003
2002
2001
태양 전지 개발을 위한 CuGaSe₂ 단결정 박막성장과 특성에 관한 연구
홍광준
,
이상열
,
유상하
외 6명
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2001.05
학술대회자료
태양전지 개발을 위한 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준
,
이상열
,
유상하
외 6명
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2001.05
학술대회자료
Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGa$Se_2$ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준
,
이관교
,
박진성
한국재료학회지
2001.01
학술저널
HOt Wall Epitaxy (HWE)에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막 성장과 광학적 특성
홍광준
,
박창선
한국결정학회 학술연구발표회
2001.01
학술대회자료
2000
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The stochiometric mix of evaporating materials for the CdGa₂Se₄ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, CdGa₂Se₄ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were 630 ℃ and 420 ℃, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of CdGa₂Se₄ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are 8.27×10^(17) ㎝-³, 345 ㎠/Vㆍs at 293 K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the CuInSe₂ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting ΔSo and the crystal field splitting ΔCr were 106.5 meV and 418.9 meV at 10 K respectively. From the photoluminescence measurement on CdGa₂Se₄ single crystal thin film, we observed free excition (Ex) existing only high quality crystal and neutral bound exiciton (D°,X) having very strong peak intensity. Then, the full-width-at -half-maximum(FWHM) and binding energy of neutral donor bound excition were 8 meV and 13.7 meV, respectivity. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 137 meV.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 및 측정
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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전기학회논문지 C
2001 .09
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-563-018159736