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저압화학기상증착법으로 Si 기판에 P₂O_5-SiO₂ 광도파박막계를 제작하였다. 제작된 박막의 광도파손실율은 1.65㏈/㎝이었으나 1100℃에서 열처리한 뒤에는 0.1㏈/㎝ 이하로 크게 감소하였다. 레이저 노광법과 활성이온식각법으로 광도파로를 제작하여 1100℃에서 열처리하였다. 열처리 결과 도파로 코어의 모양은 사각형에서 반원형으로 바뀌었으며, 0.6328 ㎛에서 0.03㏈/㎝ 그리고 1.53 ㎛에서 0.04㏈/㎝의 낮은 도파손실율을 나타내었다. 도파로의 도파손실율이 감소하는 이유로는 고온 열처리과정에서, 첫째 박막조직과 결합하여 광흡수를 일으키는 수소가 확산 방출되고, 둘째 광산란을 일으키는 도파로의 거친 계면 및 박막조직이 재형성되며, 셋째 식각법으로 도파로를 만들때 생기는 도파로 코어의 거친 계면이 매끄럽게되어 도파광의 산란손실이 줄어들기 때문으로 생각된다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 광도파로의 제작
Ⅲ. 도파손실 측정 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌
Abstract
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