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MOCVD(metal-organic chemical vapour deposition) 방법으로 성장시킨 이중 이종접합구조 GaAs/AlGaAs 웨이퍼를 이용하여 광위상변조기를 제작하였다. 제작과정에서 도파로와 절연층의 형성시 동일 포토레지스트 패턴을 이용하는 자기정렬공정을 개발하여 그 효용성을 입증하였다. Fabry-Perot 간섭법을 이용하여 변조기의 위상변조효율을 측정하였으며, 1.31㎛ 파장에서 TE 편광의 경우 22.5°/V㎜의 위상변조특성을 얻었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 위상변조의 기본이론
Ⅲ. 위상변조기의 제작과정과 결과
Ⅳ. 측정 결과
Ⅴ. 결론
참고문헌
Abstract
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