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EFG 기판과 String Hibbon 실리콘 기판을 이용하여 각각 18.2% 와 17.8% 의 에너지 변환효율을 달성 하였다. 이러한 태양전지는 전변에 2 중 반사방지막과 사진삭각법을 이용한 전극으로 제조되었다. 태양전지 효율증가는 태양전지 제조공정 중에 기판의 lifetime 을 1-5 초에서 90-100 초로 증가시킴으로써 가능하였다. SiN x 박막에 의한 리본실리콘 기판의 hydrogenation 이 740-750℃ 온도 영역에서 l초내 에 이루어짐플 본 실힘을 통해서 알 수 있었다. 열처리 온또가 750℃ 이상이 되거나 열처리 시간이 1 초 이상이 되면 수소에 의해서 passivation 되어 있는 결함이 다시 activation 됨으로써 기판의 lifetime 이 감소한다.

목차

Abstract

Introduction

Experimental

Results and Discussion

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