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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국자기학회 Journal of Magnetics Journal of Magnetics Vol.7 No.1
발행연도
2002.3
수록면
4 - 8 (5page)

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The magnetoresistance (MR) and the magnetization reversal of a lateral spin-injection device based on a spin-polarized field effect transistor (spin FET) have been investigated. The device consists of a two-dimensional electron gas (2DEG) system in an InAs single quantum well (SQW) and two ferromagnetic (Ni_(80)Fe_(20)) contacts: an injector (source) and a detector (drain). Spin-polarized electrons are injected from the first contact and, after propagating through the InAs SQW are collected by the second contact. By engineering the shape of the permalloy contacts, we were able to observe distinct switching fields (Hc) from the injector and the collector by using scanning Kerr microscopy and MR measurements. Magneto-optic Kerr effect (MOKE) hysteresis loops demonstrate that there is a range of magnetic field (20~60 Oe), at room temperature, over which the magnetization in one contact is aligned antiparallel to that in the other. The MOKE results are consistent with the variation of the magnetoresistance in the spin-injection device.

목차

Abstract

1. Introduction

2. Experiment

3. Results and Discussion

4. Conclusion

Acknowledgments

References

참고문헌 (0)

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