Attenuated Oscillation of the Tunneling Magnetoresistance in a Ferromagnet-metal-insulator-ferromagnet Tunneling Junction

Sui-Pin Chen ,  Ching-Ray Chang

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2008 .12

The Influence of the Combination of Coherent and Incoherent Tunneling on the Tunneling Magnetoresistance in a Ferromagnet-Metal-Insulator-Ferromagnet Tunneling Junction

Sui-Pin Chen

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2010 .12

In-situ magnetization measurements and ex-situ morphological analysis of electrodeposited cobalt onto chemical vapor deposition graphene/SiO₂/Si

F ,  anco ,  Vinicius C. De 외 10명

Carbon letters

2017 .01

Epitaxial CoSi₂ using sacrificial Si on Si0.83Ge0.17 / Si(001) Schottky contact의 계면적 및 전기적 특성에 관한 연구

반상현 ,  신동옥 ,  안영섭 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2002 .02

Structural Properties of Si(113) surface

황찬국 ,  김학수 ,  김용기 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

1999 .07

Si(5 5 12)에 존재하는 안정된 Si(6 9 17) Facet의 구조

주영철 ,  조상희 ,  전무현 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2002 .06

Si-nanocrystalline nonvolatile floating gate memory device based on Schottky Barrier Tunneling Transistor

Daeho Son ,  Eunkyeom Kim ,  Kyongmin Kim 외 10명

한국진공학회 학술발표회초록집

2007 .08

Ag metal의 급속 열처리에 따른 MgZnO 쇼트키 다이오드 특성연구

나윤빈 ,  정용락 ,  이종훈 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2013 .08

어븀‐실리사이드/p‐형 실리콘 접합에서 쇼트키 장벽 높이 변화

이솔 ,  전승호 ,  고창훈 외 4명

Applied Science and Convergence Technology

2007 .05

쇼트키 다이오드의 저주파 잡음

이정일

한국진공학회 학술발표회초록집

1999 .02

A first principles study on magnetism of Fe3Si on Si(001) and Si(111) substrates

Do ,  j Odkhuu ,  Won Seok Yun 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Electrical characterization of Metal-Organic-Semiconductor schottky diodes

Soonkon Kim ,  Byoungdeog Choi

한국진공학회 학술발표회초록집

2014 .08

Si₃N₄ 장벽층을 이용한 경사형 모서리 접합의 터널링 자기저항특성

김영일 ,  윤문성 ,  이상석 외 3명

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2002 .04

Si - O - C - H 저유전율 박막의 특성 연구 Study of Low - k Si - O - C - H Thin Films

김윤해 ,  이석규 ,  김형준

한국진공학회 학술발표회초록집

1999 .07

The atomic structure of high - index Si surfaces : Si(5 5 12) and its potential applications

Jae Myung Seo

한국진공학회 학술발표회초록집

2001 .07

Atomic structure of Si(337)-4×1 induced by C incorporation into Si(5 5 12)-2×1

Hidong Kim ,  Otgonbaya ,  Duge 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Correlation of MS interface states to the Schottky barrier height and manufacture of the Metal - Silicon Schottky junction diode

Sungho Jun ,  Chulyoung Ham ,  Heesoo Han 외 4명

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2004 .08

Metal nanowires formed on high - index Si surfaces : Bi / Si(5 5 12) vs Ag/ Si(5 5 12)

S. H. Cho ,  J. M. Seo

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2004 .08

Scanning tunneling microscopy simulation study of In/Si(557)-3x1 using first principle calculation

D.-H. Oh ,  I. Song ,  J. R. Ahn

한국진공학회 학술발표회초록집

2008 .08