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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.7
- 수록면
- 659 - 664 (6page)
이용수
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본 논문에서는 0.12 ㎛ 게이트 전극을 가진 metamorphic InAlAs/InGaAs high electron-mobility transistors (mHEMT)를 이용하여 제작된 60 ㎓ push-push 발진기의 특성을 고찰하였다. 전극 길이가 0.12 ㎛인 mHEMT는 700 ㎃/㎜의 최대 전류, 600 mS/㎜의 최대 전달정수, 170 ㎓의 f<SUB>T</SUB>, 그리고 300 ㎓ 이상의 f<SUB>MAX</SUB> 등 우수한 특성을 나타내었다. 두 개의 6×50 ㎛ 크기를 가지는 mHEMT를 이용하여 제작된 발진기는 59.5 ㎓에서 6.3 ㏈m의 출력 전력과 －35 ㏈c 이상의 기저 주파수 억압도를 나타내었다. 페이즈 노이즈(phase noise)는 발진 주파수의 1 ㎒ 오프셋에서 －81.2 ㏈c/㎐의 특성을 나타내었다. 본 연구 결과는 60 ㎓ 대역에서 mHEMT를 이용하여 제작된 push-push 발진기로는 최대 출력을 나타낸 결과이며, 이 연구 결과는 상용화와 저가격에 InP HEMT보다 유리한 mHEMT를 이용하여 고출력 발진기 특성을 얻을 수 있음을 보여준다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Metamorphic HEMT의 에피층과 제작 공정
Ⅲ. Push-Push 발진기 설계
Ⅳ. Push-Push 발진기 측정 및 결과
Ⅴ. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
, 2005 , High-performance 0.1-μm In0.4AlAs, In0.35GaAs MHEMTs with Ar plasma treatment 26 (11) : 787 ~ 789
, 2005 , W-band divide-by-3 frequency divider using 0.1 μm InAlAs, InGaAs metamorphicHEMT technology 41 (18) : 1005 ~ 1006
, 2005 , A D-band frequency doubler MMIC based on a 100-nm metamorphic HEMT technology 15 (7) : 466 ~ 468
, 2005 , High switching performance 0.1-μm metamorphic HEMTs for low conversion loss 94-GHz resistive mixers 26 : 707 ~ 701
, 2000 , W-band HEMT-oscillator MMICs using subharmonic injection locking 48 (12) : 2526 ~ 2532
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