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분자선 증착법을 이용하여 MnTe 박막을 Si(100) : B 및 Si(111) 기판 위에 성장시켰다. 두개의 K-cell을 사용하여 기판온도 400 ℃ 및 Te가 풍부한 조건에서 MnTe 합성이 잘 이루어졌다. 이 경우 증착속도는 1.1Å/s 이었고 성장된 층의 두께는 700Å 정도 이었다. 합성된 MnTe 박막들에 대하여 X-선회절, 초전도 양자 간섭계, Physical Property Measurement System, 홀효과 측정 등을 사용하여 그 구조적, 자기적, 전기적 특성들을 조사하였다. X-선회절 측정 결과 Si(100) : B 및 Si(111) 기판 위에 성장된 MnTe는 다결정성의 hexagonal 구조를 나타내었으며, 자기적, 전기적 특성 측정 결과 분말형태의 MnTe와 비교하여 매우 다른 특성을 나타내었다. Zero-field-cooling(ZFC) 및 field-cooling(FC) 조건에서 취해진 자화율 측정에서 다결정 박막은 21 K, 49 K, 210 K 근처에서 자기적 전이 현상을 보였으며, ZFC와 FC 자화율 사이의 큰 불가역성이 나타났다. MnTe 박막의 5 K와 300 K에서의 자기이력곡선은 강자성 상태를 나타내었으며 잔류자화값과 보자력은 5 K에서 M<SUB>R</SUB> = 3.5 emu/㎤와 H<SUB>c</SUB>= 55Oe를, 300 K에서 M<SUB>R</SUB> = 2.1 emu/㎤와 H<SUB>c</SUB>= 44Oe로 나타났다. 전기수송 특성 측정 결과, 온도에 따른 비저항은 저온에서 Mott variable range hopping 전도특성을 나타내는 전형적인 반도체 성질을 보여주었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
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