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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第5號
발행연도
2007.5
수록면
21 - 28 (8page)

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본 논문에서는 2차원 Poisson 방정식의 풀이에 의한 submicron 급 단 채널 n-InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델을 제안하였다. InAlAs 및 InGaAs층 내에서 2차원 Poisson 방정식의 해법으로 2차원적 전위 변화를 채널 전류의 연속조건과 consistent하게 도출하기 위해서 InGaAs 영역에 형성된 양자우물 형태의 채널을 통해 흐르는 전자에 대한 전계-의존 이동도를 고려하였다. 도출된 표현식은 동작 전압 전 구간의 영역과 장/단 채널 소자에 대하여 일괄적으로 적용될 수 있을 것으로 보이며, 본 논문에서 제안한 단 채널 n-InAlAs/InGaAs HEMT의 2차원 전계 효과에 대한 해석적 모델은 기존의 모델에서 submicron 대의 짧은 채널 길이일 때 정확도가 저하되거나 Early 효과에 대한 설명이 미흡한 것에 비해 드레인 전압의 증가에 따른 드레인 포화 전류의 증가 및 문턱전압의 감소 현상 등을 보다 물리적으로 적절히 설명할 수 있음을 보이고 있다.
#HEMT Modeling #short channel HEMT #InAlAs/InGaAs HEMT #Ⅰ-Ⅴ Characteristics

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. InAlAs/InGaAs HEMT의 2차원 해석적 모델
Ⅲ. 계산 및 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (9)

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1. [학술지(정기간행물)] - / / The Role of Micro-wave Technologies in the Wireless Revolution google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / 1989 / DC and RF Characterization of Short-Gate-Length InGaAs/InAlAs MODFET's : 2361 ~ 2363 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / 1986 / Microwave Performance of a Quarter-Micro meter Gate Low-Noise Pseudomorphic InGaAs/AlGaAs Modulation- Doped Field Effect Transistor : 649 ~ 7 651 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 1988 / 75As MODFET's with fT over 120 ㎓ : 374 ~ 9 376 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - / 1982 / Model for Modulation Doped Field Effect Transistor : 338 ~ 3 341 google schola

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