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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2007.5
수록면
1,506 - 1,511 (6page)

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At nanoscales, the Boltzmann transport equation (BTE) can best describe the behavior of phonons which are energy carriers in crystalline materials. Through this study, the phonon transport in some micro/nanoscale problems was simulated with the Monte Carlo method which is a kind of the stochastic approach to the BTE. In the Monte Carlo method, the superparticles of which the number is the weighted value to the actual number of phonons are allowed to drift and be scattered by other ones based on the scattering probability. Accounting for the phonon dispersion relation and polarizations, we have confirmed the one-dimensional transient phonon transport in ballistic and diffusion limits, respectively. The thermal conductivity for GaAs was also calculated from the kinetic theory by using the proposed model. Besides, we simulated the electrostatic discharge event in the NMOS transistor as a two-dimensional problem by applying the Monte Carlo method.
#Monte Carlo method(몬테 카를로 방법) #Phonon transport(포논 전달) #GaAs 열전도도 #Electrostatic discharge(정전기 방전)

목차

Abstract
1. 서론
2. 고체 내 에너지 상태
3. 몬테 카를로 방법
4. 결과 및 고찰
5. 결론
후기
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