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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2006년도 춘계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2006.6
수록면
1,130 - 1,135 (6page)

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Nano Infiltration Transient Eutectic Phase - Silicon Carbide (NITE-SiC) have been fabricatied by a Hot Pressing (HP) process, using SiC powder with an average size of about 30㎚. Alumina (Al₂O₃) and Yttria (Y₂O₃) were used for additives meterials. These mixed powders were sintered at the temperature a of 1300℃, 1650℃, 1800℃ and 1900℃ under an applied pressure of 20㎫. Densification of microstructure gives an effect to density and strength. Specially, Densification Mechanism basically is important from the sintering which use the HP.
In this study, nano size particle was used to HP and the densification of NITE-SiC mechanism by a press displacement appers investigated. The slope changes places by a press displacement shared a at three steps. The mechanism on the densification of each sintering temperature was investigated. The each step is shows a with each other different mechanism quality.
#Additives Materials(첨가물) #Densification(치밀화) #Hot Pressing(HP) #Nano Infiltration Transient Eutectic Phase(NITE) #Silicon carbide(SiC)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
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양훈철 ,  김기태 대한기계학회 춘추학술대회 1999 .01

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-550-016797859