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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 창립 60주년 기념 춘계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2005.5
수록면
44 - 47 (4page)

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This paper described the deposition method of an active ZnO piezoelectric thin film onto a silicon nitride membrane and the fabrication method of a circular diaphragm using a boron etch stop process. The method is to obtain ZnO films for effective actuation by R.F. sputtering system. Several critical sputtering process parameters such as deposition pressure, R.F. power, and heating temperature were investigated to understand their impacts on the resulting crystal structures. The boron-doped layer which is doped with solid source is sufficient for achieving an etch stop in 20 wt% TMAH. The diameter of the circular silicon nitride diaphragm was measured to be 2 ㎜ with 1 ㎛ thickness, and the thickness of boron-doped layer, that is the circular diaphragm, is about 7.4 ㎛. The sensitivity is expected to be increased with the circular diaphragm through the simulation results. This device will be applied to acoustic transducers such as microphones or microspeakers
#ZnO(산화아연) #piezoelectricity(압전) #microphone(마이크로폰) #circular diaphragm(원형진동판)

목차

Abstract
1. 서론
2. ZnO의 증착조건 및 증착결과
3. 원형 진동판 제작 및 시물레이션 결과
4. 결론
후기
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