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한국자기학회 한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집 한국자기학회 2007년도 정기총회 동계학술연구발표회 및 스핀트로닉스와 나노물리에 관한 국제심포지움
발행연도
2007.12
수록면
70 - 71 (2page)

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Two kinds of amorphous Co-rich magnetic amorphous films of CoFeB and CoFeSiB of different compositions were prepared by magnetron sputtering and applied as ferromagnetic electrodes in magnetic tunnel junctions (MTJs). The spin polarization of CoFeB is rather sensitive to its composition, but not necessarily to magnetic switching behavior. The switching fields were around 30 Oe for Co contents ranging from 60 to 85 at. %). On the contrary, the switching behavior of CoFeSiB was very sensitive to its Co content (5 to 20 Oe as Co content increased from 71 to 81 at. %), with tunneling magneto-resistance (TMR) ratio saturated when Co surpass 74 at. %. Comparatively, CoFeSiB can be a good candidate for future high density spin memory devices to ... 전체 초록 보기

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