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논문 기본 정보

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저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 2007년 ICPE논문집
발행연도
2007.10
수록면
857 - 860 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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In order to increase the power density of power converters, reduction of the switching losses at a high-frequency switching condition is one of the most important issues. This paper presents a new gate drive circuit that enables to reduce the switching loss on both the Power MOSFET and the IGBT. A distinctive feature of this method is that both the turn on loss and the turn off loss can be decreased simultaneously without using the conventional ZVS circuit, such as quasi-resonant adjunctive circuit. Some experimental results of the switching loss of Power MOSFET and IGBT used on the buck-chopper circuit is shown and confirmed the effectiveness of the proposed circuit.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. OPERATION PRINCIPLE AND CIRCUIT CONFIGURATION
Ⅲ. EXPERIMENTAL RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-560-016307188