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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제40권 제3호
발행연도
2007.6
수록면
117 - 124 (8page)

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The ITO films were deposited on glass substrates by RF-superimposed dc reactive magnetron sputtering and were annealed in N₂ vacuum furnace with temperatures in the range of 403 K~573 K for 30 minutes. Electrical, optical and structural properties of ITO films were examined with varying annealing temperatures from 403 K to 573 K. The resistivity of as-deposited ITO films was 5.4×10?⁴Ω㎝ at the sputter conditions of applied RF/DC power of 200/200 W, O₂ flow of 0.2 sc㎝ and Ar flow of 0.2 sc㎝. As a result of annealing in the temperature range of 403 K~573 K, the crystallization occurred at 423 K that is lower than the crystallization temperature caused by a conventional sputtering method. And the resistivity decreased from 5.4×10?⁴Ω㎝ to 2.3×10?⁴Ω㎝, the carrier concentration and mobility of ITO films increased from 4.9×10 20/㎤ to 6.4×1020/ cm3, from 20.4 ㎠/Vsec to 41.0 ㎠/Vsec, respectively. The transmittance of ITO films in visible became higher than 90% when annealed in the temperature range of 423 K~573 K. High quality ITO thin films made by RF-superimposed dc reactive magnetron sputtering and annealing in N₂ vacuum furnace will be applied to transparent conductive oxides of the advanced flat panel display.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
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