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논문 기본 정보

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저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제39권 제3호
발행연도
2006.6
수록면
87 - 92 (6page)

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The characteristic of interface layer and the effect of bias voltage on the microstructure of c-BN films were studied in the microwave plasma hot filament C.V.D process. c-BN films were deposited on a high speed steel(SKH-51) substrate by hot filament CVD technique assisted with a microwave plasma to develop a high performance of resistance coating tool. c-BN films were obtained at a gas pressure of 20 Torr, vias voltage of 300 V and substrate temperature of 800°C in B₂H?-NH₃-H₂ gas system. It was found that a thin layer of hexagonal boron nitride(h-BN) phase exists at the interface between c-BN layer and substrate.
#c-BN films #Bias voltage #Microwave plasma hot filament C.V.D Process #Resistance wear coating tool

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
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