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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.5
- 수록면
- 142 - 148 (7page)
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DBD(Dielectric Barrier Dischages) plasma is often used to clean the surface of semiconductor. The cleaning performance is affected mainly by plasma density and duration time. In this study, the plasma density is predicted by coupled simulation of flow, chemistry mixing and reaction, plasma, and electric field. 13.56 ㎒ of RF source is used to generate plasma. The effect of dielectric thickness, gap distance, and flow velocity on plasma density is investigated. It is shown that the plasma density increases as the dielectric thickness decreases and the gap distance increases.
목차
Abstract
1. 서론
2. CCP 플라즈마 해석 모델링
3. 해석결과
4. 결론
후기
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