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As the semiconductor wafer is required to be thinner for better compactness and higher integrity of the electronic products, mechanical dicing saw technique using the diamond blade is facing serious problems such as low cutting speed, tool wear, side wall crack and back side chipping. Recently, UV laser dicing process has emerged as an alternative methods to the blade dicing especially for the very thin wafers below 100㎛. In this study 355 ㎚ UV laser dicing system has been developed in order to improve the productivity and reliability of ultra thin wafer dicing process. For the quality improvement of the developed dicing system various laser parameters are investigated such as power, speed and frequency of the laser beam. Moreover various measurement techniques are employed to evaluate the dicing quality using optical microscope, SEM and focused ion beam.

목차

Abstract
1. 서론
2. 레이저 웨이퍼 다이싱 장비 개발
3. 가공 표면 및 단면 분석
4. 결론
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