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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제37권 제6호
발행연도
2004.12
수록면
360 - 365 (6page)

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Ti₃SiC₂ material was synthesized via the powder metallurgical route, and oxidation tested between 900 and l200℃ in air for up to 100 hr. The oxidation of Ti₃SiC₂ material resulted in the formation of TiO₂ and SiO₂, accompanying the evolution of CO or CO₂ gases from the initial stage of oxidation. The oxidation resistance of Ti₃SiC₂ mainly owes the protectiveness of highly stoichiometric SiO₂. During the initial stage of oxidation, the dominant reaction was the inward transport of oxygen into the matrix. As the oxidation progressed, an outer TiO₂ layer and an inner (TiO₂ ＋ SiO₂) mixed layer formed. Between these layers and inside the oxide scale, numerous fine voids formed. Numerous, fine oxide grains formed at 900℃ developed into the outer coarse TiO₂ grains and an inner fine (TiO₂ ＋ SiO₂) mixed grains at the higher temperatures. The oxidation resistance of Ti₃SiC₂ progressively deteriorated as the oxidation temperature increased, forming thick scales above 1000℃. The outer coarse TiO₂ grains formed above 1100℃ grew rapidly mainly along (211).
#Ti₃SiC₂ #Oxidation #TiO₂ #SiO₂

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
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