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The ICP-CYD (inductively coupled plasma chemical vapor deposition) process was applied to the deposition of TiB₂ films. For plasma generation, 13.56 ㎒ r.f. power was supplied to 2-turn Cu coil placed inside chamber. And the gas mixture of TiCI₄, BCI₃, H₂ and Ar was used for TiB₂ deposition. TiB₂ films with high hardness (＞40 ㎬) were obtained at extremely low deposition temperature (250℃), and the films hardness increased with ICP power and gas flow ratio of TiCI₄/BCI₃. The film structure was changed from (100) preferred orientation to random orientation with increasing RF power. It is supposed that the enhanced hardness of films was caused by a strong Ti-B chemical bonding of stoichiometric TiB₂ films and film densification induced by high density plasma.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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