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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.12
- 수록면
- 7 - 10 (4page)
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본 연구에서는 load-pull 장비를 이용하여 hot carrier 현상에 따른 RF 전력 성능 저하를 측정 분석하였다. 스트레스를 인가한 후에 RF 전력 지수들은 감소하였으며, 고정 전압 조건에서 관찰한 SOI MOSFET의 DC 성능 지수들 또한 hot carrier stress로 인하여 감소함을 할 수 있었다. 또한 Hot carrier stress로 인한 DC 성능 저하로 인하여 RF 전력 성능 저하의 감소를 알 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자의 제작
Ⅲ. 소자열화로 인한 RF power 특성 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (6)
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1. [학술대회논문] - J. W. Ratkovic / 1995 / Novel Device Lifetime Behavior and Hot-Carrier Degradation Mechanism under Vgs=Vth Stress for Thin-Film SOI nMOSFETS / Tech. Digest of IEDM : 639 ~ 642
2. [학술지(정기간행물)] - W. S Kwan / 2000 / Hot-Carrier Effects on RF Noise Characteristics of LDD MOSFETS / J. V. Sci. and Tech A18 (2) : 765 ~ 769
3. [학술지(정기간행물)] - T. Sowlati / 2000 / A 2.4GHz 0.18um CMOS Self-Biased Cascode Power Amplifier / IEEE J. Solid-State Circuits 38 (8) : 1318 ~ 1324
4. [단행본] - J. P. Colinge / 1997 / Silicon-on-Insulator Technology / Kluwer Academic : 181 ~
5. [학술지(정기간행물)] - S. Cristoloveanu / 1992 / Hot-Electron-Induced Degradation of Front and Back Channels in Partially and Fully Depleted SIMOX MOSFET’s / IEEE. Electron Device Letters 13 (2) : 603 ~ 605
2. [학술지(정기간행물)] - W. S Kwan / 2000 / Hot-Carrier Effects on RF Noise Characteristics of LDD MOSFETS / J. V. Sci. and Tech A18 (2) : 765 ~ 769
3. [학술지(정기간행물)] - T. Sowlati / 2000 / A 2.4GHz 0.18um CMOS Self-Biased Cascode Power Amplifier / IEEE J. Solid-State Circuits 38 (8) : 1318 ~ 1324
4. [단행본] - J. P. Colinge / 1997 / Silicon-on-Insulator Technology / Kluwer Academic : 181 ~
5. [학술지(정기간행물)] - S. Cristoloveanu / 1992 / Hot-Electron-Induced Degradation of Front and Back Channels in Partially and Fully Depleted SIMOX MOSFET’s / IEEE. Electron Device Letters 13 (2) : 603 ~ 605
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