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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.6
- 수록면
- 737 - 742 (6page)
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SOI MOSFET를 이용하여 5㎓대역 저잡음 증폭기를 설계하였다. 잡음특성을 향상시 키기 위해 공핍형 SOI-MOSFET를 사용하였으며, 저전압에서 동작하기 위해 소스접지와 게이트접지 증폭기를 연결한 2단형으로 설계하였다. 제작된 LNA는 5㎓에서 이득이 21㏈, S11이 -10㏈이하, 소비전력 8.3㎽의 결과를 얻었으며 잡음지수는 공핍형 저잡음 증폭기가 1,7dB로 일반형보다 0.3㏈ 개선된 결과를 얻을 수 있었다. 이 같은 결과로 공핍형 SOI MOSFET를 사용하면 보다 잡음특성이 우수한 CMOS LNA를 설계 할 수 있음을 확인할 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. SOI MOSFET
Ⅲ. 저전압동작 2단형 LNA설계
Ⅳ. LNA의 제작 및 측정
Ⅴ. 결론
참고문헌
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