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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제19권 제4호
발행연도
2009.8
수록면
133 - 137 (5page)

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GaAs 기판 위에 증착된 MnGeP₂ 박막이 상온에서 강자성을 보임을 자기화 및 자기저항 측정을 통해 확인하였다. 강자성-상자성 전이 온도는 320 K 정도였고, 항자력장은 5, 250, 300 K에서 각각 3870, 1380, 155 Oe 정도였다. 전하 운반자가 스핀 편극되어 있음을 암시하는 비정상 홀 효과를 관측하였다. 자기장에 따른 자기저항과 홀 저항을 측정할 때 이력곡선이 나타남을 확인하였다. MnGeP₂ 박막과 n-형 GaAs 기판 사이에 I-V 측정을 통해 전형적인 p-n 다이오드 특성을 보임을 확인하였다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 실험결과 및 토의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (14)

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