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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第46卷 第8號
발행연도
2009.8
수록면
18 - 21 (4page)

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ROM은 디지털 시스템에서 전력 소모가 크고 속도의 병목현상을 갖는 블록이다. 점증적인 시스템의 고속화에 따라 ROM 설계시 전력소모 감소와 동작 속도 향상이 요구 된다. FFT 및 FIR 필터에 적용되는 ROM은 주소를 순차적으로 접근하는 방식의 ROM이 필요하며, 본 논문에서는 순차적으로 주소를 접근하는 ROM을 설계할 때 기존의 ROM과 같은 값을 출력 하면서 저장되는 셀을 줄일 수 있는 방법을 제안하였다. 이러한 방법을 이용하면 비트라인에 연결된 저장 셀 개수가 감소되며 따라서 비트라인의 커패시턴스 값이 감소된다. 비트라인의 커패시턴스 값이 감소하면서 지연시간 및 파워가 감소한다. 논문에서 예제로 사용한 FIR 계수 저장용 ROM의 경우 제안한 알고리즘을 적용하였을 때 저장 셀 '1'이 최대 86.3% 감소함을 알 수 있다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 기존 ROM 구조
Ⅲ. 제안한 순차 주소 접근 ROM 구조
Ⅳ. 시뮬레이션 결과
Ⅴ. 결론
참고문헌
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