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A class-E power amplifier is designed using 0.25㎛ standard CMOS technology at 900㎒ and the reliability characteristics are studied with the load network. The reliability characteristics is improved when a finite DC-feed inductor is used instead of RF choke. At the one year halt, the PAE(Power Added Efficiency) decreases from 58.0％ to 35.7％ and output power decreases from 120㎽ to 74㎽ in power amplifier using RF choke. However, when a finite DC-feed inductor is used with load the PAE decreases from 58.5％ to 54.8％ and output power decreases from 121㎽ to 112㎽. From the simulated results, the class-E power amplifier with a finite DC-feed inductor shows superior reliability characteristics compared to power amplifier using RF choke inductor.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
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참고문헌 (10)
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[학술지(정기간행물)] - A. A. Abidi / jun.2003. / RF CMOS comes of age 6 : 113 ~ 116
[학술지(정기간행물)] - R. Castello / mar.2000. / A 1.3 GHz low phase noise fully tuneable CMOS LC VCO 35 (3) : 356 ~ 361
[학술지(정기간행물)] - P. J. Sulivan / 1997. / Low voltage performance of a microwave CMOS Gilbert cell mixer 32 : 1151 ~ 1155
[학술지(정기간행물)] - R. A. Rafla / 1999. / Design of a 1.5V CMOS integrated 3GHz LNA : 440 ~ 443
[학술지(정기간행물)] - 황영승 / 2003. / 2.4GHz 100mW급 고주파 CMOS 전력 증폭기 설계 : 335 ~ 339
[학술지(정기간행물)] - R. Castello / mar.2000. / A 1.3 GHz low phase noise fully tuneable CMOS LC VCO 35 (3) : 356 ~ 361
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[학술지(정기간행물)] - R. A. Rafla / 1999. / Design of a 1.5V CMOS integrated 3GHz LNA : 440 ~ 443
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