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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
고태영 (삼성전자) 전영현 공배선 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第46卷 第10號
발행연도
2009.10
수록면
1 - 8 (8page)

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본 논문에서는 아날로그 및 디지털 집적시스템에서 사용될 수 있는 온도변화에 무관한 파워-업 검출기 회로를 제안하였다. 제안된 파워-업 검출기는 트랜지스터의 문턱전압과 이동도의 상호 온도보상 기술을 이용하여 nMOS 분압기와 pMOS 분압기의 출력 전압이 온도에 무관한 특성을 갖도록 하여 온도 변화에 따른 파워-업 전압의 변화량을 최소화하였다. 68-㎚ CMOS 공정을 이용한 시뮬레이션 결과, 제안된 파워-업 검출기는 파워-업 전압 1.0V 기준으로 -30 ℃에서 90 ℃의 온도변화 조건에서 4 ㎷의 매우 작은 파워-업 감지 전압 변화량을 갖는 출력 특성을 보였고, 기존 회로에 비해 92.6%의 파워-업 감지 전압 변화량 감소를 확인하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 파워-업 검출기의 동작 및 제약요소
Ⅲ. 기존의 파워-업 검출기
Ⅳ. 제안된 파워-업 검출기
Ⅴ. 제안된 파워-업 검출기의 온도보상 설계
Ⅵ. 결과 및 고찰
Ⅶ. 결론
참고문헌
저자소개

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