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자료유형
학술저널
저자정보
金甫泫 (삼성전자) 朴昶均 (한양대학교) 朴珍奭 (한양대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제56권 제5호
발행연도
2007.5
수록면
915 - 920 (6page)

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AIN-based film bulk acoustic resonator (FBAR) devices which adopt a membrane-type configuration such as Mo/AIN/bottom-metal/Si are fabricated by employing a novel process. The proposed resonator structure does not require any supporting layer above the substrate, which leads to the reduction in energy loss of the resonators. For all the FEAR devices, the frequency response characteristics are measured and the device parameters, such as return loss and input impedance, are extracted from the frequency responses, and analyzed in terms of the various metals such as A1, Cu, Mo, W used in the bottom-electrode. The mass-loading effect caused by the used bottom-electrode metals is found to be the main reason for the difference revealed in the measured characteristics of the fabricated FBAR devices. The results obtained in this study also show that the degree of match in lattice constant and thermal expansion coefficient between piezoelectric layers and electrode metals is crucial to determine the device performance of FBAR.
#Aluminum nitride (AIN) #Film bulk acoustic resonator (FBAR) #Membrane-structure #Metal electrode #Mass-loading effect #Frequency response

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
감사의 글
참고문헌
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Gi-Wan Yoon ,  Sung-Chang Choi 한국정보통신학회논문지 2001 .12

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