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We have demonstrated the experimental results to obtain the immunity of FN (Fowler Nordheim) stress for S-RCAT (Spherical-Recess Cell Array Transistor) which has been employed to meet the requirements of data retention time and propagation delay time for sub-l00-㎚ mobile DRAM (Dynamic Random Access Memory). Despite of the same S-RCAT structure, the immunity of FN stress of S-RCAT depends on the process condition of gate oxidation. The S-RCAT using DPN (decoupled plasma nitridation) process showed the different degradation of device properties after FN stress. This paper gives the mechanism of FN-stress degradation of S-RCAT and introduces the improved process to suppress the FN-stress degradation of mobile DRAM.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 및 시료 제작 공정
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
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1. [학술지(정기간행물)] - / 2004 / A Unique Dual-Poly Gate Technology for 1.2-V Mobile DRAM with Simple In situ n+-Doped Polysilicon 51 : 1644 ~ 1651
2. [학술지(정기간행물)] - S. G. Park / 2005 / The New Technology for DRAM Cell Transistor with S-RCAT and its Size Effect : 624 ~ 625
3. [학술지(정기간행물)] - T. Brozek / 1996 / Generation of hole trap in thin silicon oxide layers under high-field electron injection 68 : 1826 ~ 1828
4. [학술지(정기간행물)] - Wolf / 1990 / Silicon Processing for VLSI era
5. [학술지(정기간행물)] - Wolf / 1990 / Silicon Processing for VLSI era
2. [학술지(정기간행물)] - S. G. Park / 2005 / The New Technology for DRAM Cell Transistor with S-RCAT and its Size Effect : 624 ~ 625
3. [학술지(정기간행물)] - T. Brozek / 1996 / Generation of hole trap in thin silicon oxide layers under high-field electron injection 68 : 1826 ~ 1828
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