Zn3P2를 Source로 한 n+ -InP , u -InP , u -InGaAS 및 u -InGaAsP 의 Zn확산 ( Zn Diffusion in n+ -InP , u -Inp , u -InGaAs and u -InGaAsP with Zn3P2 Source )

김돈수 ,  김남준 ,  김앙서 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

n-CdS / p- InP 태양전지의 특성에 관한 연구 ( A Study on the Characteristics of n-CdS / p-InP Solar Cell )

최영복 ,  김선태 ,  문동찬

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

반응 용기법을 이용한 InP/ZnS 양자점 합성과정에서 InP 코어의 성장기구

서한욱 ,  정다운 ,  이 빈 외 2명

한국분말야금학회지

2017 .01

Zn₃P₂를 Source로 한 n⁺ -InP, u-InP, u-InGaAs 및 u-InGaAsP 의 Zn확산

김돈수 ,  김남준 ,  김앙서 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

1.3μm GaInAsP / InP DH LD에서의 Zn 확산 특성 ( Zn diffusion Characteristics into the InP Clad layer of the 1.3μm GaInAsP / InP Laser Diode )

심종인 ,  남은수 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

One-pot 공정을 이용한 InP/ZnS core/shell 나노결정 합성및 특성 연구

주소영 ,  홍명환 ,  강이승 외 2명

한국분말야금학회지

2017 .01

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

1.3um GaInAsP/InP DH LD 에서의 Zn확산특징

심종인 ,  남은수 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .06

고 안정성 전구체를 사용한 InP/ZnS 반도체 나노입자합성 및 발광 특성 향상

이은진 ,  문종우 ,  김양도 외 2명

한국분말야금학회지

2015 .01

InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

열로 산화된 InP의 특성에 관한 연구

文東贊 ,  徐英錫 ,  金善泰 외 1명

전기학회논문지

1988 .06

황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces )

허준 ,  임한조 ,  김충환 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .12

p-n Heterojunction Composed of n-ZnO/p-Zn-doped InP

SangYeolLee ,  EunSubShim ,  SeongSikPang 외 2명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2002 .01

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GalnAsP / n-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

Ga_xIn_(1-x) As_(1-y) P_y / InP의 LPE 성장을 위한 Phase Diagram 계산

신동혁 ,  유태환 ,  이용탁 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

Exciton Binding Energies in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP Quantum Well Structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1997 .12

Effects of magnetic field on the excitonic photoluminescence linewidth due to interfacial quality in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP quantum well structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1998 .10