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대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 대한전기학회 전기물성·응용부문회 2006 추계학술대회 논문집
발행연도
2006.10
수록면
32 - 33 (2page)

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2006

상변화 메모리 응용을 위한 Ge₁Se₁Te₂ 비정질 칼코게나이드 박막의 전도 특성
최혁 ,  김현구 ,  조원주 외 1명 대한전기학회 학술대회 논문집 2006.10 학술대회자료
칼코게나이드 다층박막의 상변화 특성에 관한 연구
최혁 ,  김현구 ,  정홍배 대한전기학회 학술대회 논문집 2006.07 학술대회자료

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As next generation nonvolatile memory, chalcogenide-based phase change memory can substitute for a conventional flash memory from its high performance. Also, fast writing speed, low writing voltage, high sensing margin, low power consumption and repetition reliability over 10¹? cycle shows its possibility. At our laboratory, we invented Ge₁Se₁Te₂ material to alternate with conventional Ge₂Sb₂Te? for ... 전체 초록 보기

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측면 상변화 접촉면적을 이용한 3차원 상변화 메모리 구조에 관한 연구
유호천 ,  양형준 ,  송윤흡 대한전자공학회 학술대회 2013 .07
상변화 물질의 알려지지 않은 특성 발견
김태권 기계저널 2012 .06
상변화 메모리(PCRAM)에서의 CMP 공정 개발 현황
황응림 ,  김민석 ,  이용석 외 4명 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2011 .11
상변화메모리 응용을 위한 첨가량에 따른 Sb Ge₁Se₁Te₂의 상변화 특성 연구
김현구 ,  최혁 ,  남기현 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2008 .02

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