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대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 1988年度 秋季綜合學術大會 論文集
발행연도
1988.11
수록면
189 - 192 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1988

Conductance 법에 의한 N₂Plasma 처리한 산화막의 계면상태 밀도에 관한 연구
성영권 ,  이내인 ,  이승환 대한전기학회 학술대회 논문집 1988.11 학술대회자료
Conductance 법에 의한 MNS Diode의 계면상태에 관한 고찰 ( Study on the Interface State Density of MNS Diode by the Conductance Method )
성영권 ,  최종일 ,  이내인 대한전자공학회 학술대회 1988.07 학술대회자료
Conductance 법에 의한 MNS Diode의 계면상태에 관한 고찰
성영권 ,  최종일 ,  이내인 대한전기학회 학술대회 논문집 1988.07 학술대회자료

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목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 시료의 제작 및 측정
3. 실험 결과 및 고찰
참고문헌

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Hot-Carrier 스트레스에 의하여 발생된 계면상태가 PMOSFET의 밴드간 터널링 전류에 미치는 영향 ( The Effect of Interface State ( Nit ) Generated by Hot-Carrier Stress on GIDL Current of PMOSFET )
김호 ,  유동열 ,  이상돈 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1993 .01

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