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대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 대한전기학회 제37회 하계학술대회 논문집 D
발행연도
2006.7
수록면
2,061 - 2,062 (2page)

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a-Si(amorphous silicon) TFT(thin film transistor)는 TFT-LCD(liquid crystal display)의 화소 스위칭(switching) 소자로 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 a-Si을 이용하여 gate drive IC를 기판에 집적하는 ASG(amorphous silicon gate) 기술이 연구, 적용되고 있는데 이때 가장 큰 제약은 문턱 전압(Vth)의 이동이다. 특히 고온에서는 문턱 전압의(Vth) 이동이 가속화 되고, Ioff current가 중가 하게 되고, 저온(0℃)에서는 전류 구동능력이 상온(25℃) 상태에서 같은 게이트 전압(Vg)에 대해서 50% 수준으로 감소하게 된다. 특히 ASG 회로는 여러 개의 TFT로 ... 전체 초록 보기

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