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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김동호 (고려대학교) 정강민 김태근 (고려대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第6號
발행연도
2010.6
수록면
1 - 6 (6page)

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본 논문에서는 고출력ㆍ고이득 특성을 갖는 고전자이동도 트랜지스터 (high-electron mobility transistor, HEMT)를 구현하기 위하여 계단형 구조의 게이트 전극을 갖는 AlGaN/GaN HEMT를 제안하였고, 소자의 DC 특성의 향상 가능성을 확인하기 위하여 단일 게이트 전극을 갖는 HEMT 및 field-plate 구조의 게이트 전극을 갖는 HEMT 소자와의 특성을 비교 분석하였다. 상용 시뮬레이터를 통해 시뮬레이션 결과, 본 연구에서 제안한 계단형 구조의 게이트 전극을 갖는 AlGaN/GaN HEMT는 드레인 전압의 인가 시, 소자의 내부에서 발생하는 전계가 단일 게이트 전극을 갖는 HEMT에 비해 약 70% 정도 감소하는 특성을 갖는 것을 확인하였고, 전달이득 (transconductance, g<SUB>m</SUB>) 특성 역시 단일 게이트 전극구조의 HEMT나 field-plate 구조를 삽입한 HEMT에 비해 약 11.4% 정도 향상된 우수한 DC 특성을 갖는 것을 확인하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 토론
Ⅳ. 결론
참고문헌
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