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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
안호중 (한양대학교) 송윤흡 (한양대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2010년 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
609 - 612 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

Threshold Voltage Fluctuation of the Scaling-down NOR Flash Cells
안호중 ,  송윤흡 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
Threshold Voltage Fluctuation of the Scaling-down NOR Flash Cells
안호중 ,  송윤흡 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

초록· 키워드

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The random telegraph signal (RTS) for the NOR flash cell scaling is investigated. An innovative method to suppress the RTS, based on the device engineering, is proposed. By optimizing the channel doping profile, it is confirmed from three-dimensional (3-D) simulation, that the Vth amplitude, due to RTS, is significantly suppressed. From this result, it is expected that the proposed method to suppress the RTS amplitude is essential for further cell size scaling in Flash memory.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. EXPERIMENT
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENT
Ⅴ. REFERENCES

참고문헌 (0)

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