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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.10
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
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본 연구에서는 S-파라미터 측정 데이터를 사용하는 RF측정방법으로 short-channel MOSFET의 RF 캐패시턴스-전압(C-V)곡선을 상온에서 225℃까지 추출하였으며, 추출된 고온 종속 특성을 엠피리컬하게 모델링하였다. RF C-V 특성곡선의 weak inversion영역에서 온도 변화에 따른 voltage shift가 threshold voltage shift보다 적은 현상이 관찰되었지만, 기존 long-channel C-V 이론 방정식으로 설명할 수 없는 현상임이 입증되었다. 이러한 short-channel C-V 곡선의 고온 종속 모델링을 위해서 새로운 엠피리컬 방정식이 개발되었다. 이 방정식의 정확도는 모델된 C-V곡선과 측정 데이터가 넓은 온도범위에서 잘 일치하는 결과를 관찰함으로써 입증되었다. 또한, 높은 게이트 전압에서는 온도가 증가함에 따라 채널 캐패시턴스 값이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - J.Schmitz / 2003 / RF capacitancevoltage characterization of MOSFETs with high leakage dielectrics / IEEE Electron Device Lett 24 : 37 ~ 39
2. [학술지(정기간행물)] - E.San Andrés / 2006 / RF split capacitance-voltage measurements of short- channel and leaky MOSFET devices / IEEE Electron Device Lett 27 : 772 ~ 774
3. [학술대회논문] - M.Emam / 2009 / High temperature DC and RF behavior of partially-depleted SOI versus deep n-well protected bulk MOSFETs / Proc. IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 1 ~ 4
4. [학술대회논문] - J.Kim / 2008 / Temperature dependence of effective channel length,source/drain resistance,and electron mobility in sub-50 nm MOSFETs / IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop : 1 ~ 2
5. [학술지(정기간행물)] - 고봉혁 / 2010 / Analysis of high-temperature dependence for RF capacitance -voltage curve / 대한전자공학회 하계학술대회 33 (1) : 479 ~ 480
2. [학술지(정기간행물)] - E.San Andrés / 2006 / RF split capacitance-voltage measurements of short- channel and leaky MOSFET devices / IEEE Electron Device Lett 27 : 772 ~ 774
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4. [학술대회논문] - J.Kim / 2008 / Temperature dependence of effective channel length,source/drain resistance,and electron mobility in sub-50 nm MOSFETs / IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop : 1 ~ 2
5. [학술지(정기간행물)] - 고봉혁 / 2010 / Analysis of high-temperature dependence for RF capacitance -voltage curve / 대한전자공학회 하계학술대회 33 (1) : 479 ~ 480
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