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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Du-Hwi Kim (창원대학교) Ji-Hye Jang (창원대학교) Liyan Jin (창원대학교) Pan-Bong Ha (창원대학교) Young-Hee Kim (창원대학교)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.10 No.4
발행연도
2010.12
수록면
316 - 324 (9page)

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In this paper, we design a 256 kbits EEPROM for a MCU (Microcontroller unit) with the wide voltage range of 1.8 V to 5.5 V. The memory space of the EEPROM is separated into a program and data region. An option memory region is added for storing user IDs, serial numbers and so forth. By making HPWs (High-voltage P-wells) of EEPROM cell arrays with the same bias voltages in accordance with the operation modes shared in a double word unit, we can reduce the HPW-to-HPW space by a half and hence the area of the EEPROM cell arrays by 9.1 percent. Also, we propose a page buffer circuit reducing a test time, and a write-verify-read mode securing a reliability of the EEPROM. Furthermore, we propose a DC-DC converter that can be applied to a MCU with the wide voltage range. Finally, we come up with a method of obtaining the oscillation period of a charge pump. The layout size of the designed 256 kbits EEPROM IP with MagnaChip's 0.18 ㎛ EEPROM process is 1581.55 ㎛ × 792.00 ㎛.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. CIRCUIT DESIGN
Ⅲ. SIMULATION RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (7)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2012-569-003817184