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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 197 - 200 (4page)
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In this paper, we have designed and fabricated hyperabrupt varactor diodes. Capacitance variations of hyperabrupt-doped varactor diodes are larger than those of uniform-doped varactor diodes. We adopted sensitivity S for the design of the hyperabrupt varactor diodes. The large S means the larger capacitance variations with biasing voltages. The measured reverse breakdown voltage of the fabricated varactor diodes was about 20 V. Also, the leakage current was 13 ㎁ at 20 V of reverse bias. The ideality factor was 1.15 at 300 K. For the anode contact diameter of 50 ㎛, the maximum capacitance of the fabricated varactor diode was 2.1 pF and the minimum capacitance 0.44 ㎊. Therefore, the C<SUB>max</SUB>/C<SUB>min</SUB> ratio was 4.77. Also, for the anode contact diameter of 60 ㎛, the maximum and minimum capacitances were 2.9 and 0.62 ㎊, respectively. And, thus, the C<SUB>max</SUB>/C<SUB>min</SUB> ratio was 4.64. The sensitivity of the fabricated varactor diodes (D=60 ㎛) was 2.37.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Design of Hyperabrupt varactor diode
3. Fabrication of the varactor diode
4. Results and Discussion
5. Conclusions
Acknowledgments
References
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