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논문 기본 정보
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- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 588 - 591 (4page)
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This paper presents a new inductancecapacitance (LC) oscillator topology. 8.3~10.6-㎓-Band New LC Oscillator has been designed and fabricated using commercial 0.18-)m CMOS technology. The complementary cross-coupled differential topology is adopted in the design. The fabricated LC Oscillator has a wide tuning range of 23% from 8.3 ㎓ to 10.6 ㎓ with a power dissipation of 6.48㎽. The measured phase noise is - 114㏈c/㎐ at 1-MHz offset, respectively. FOM of the new LC VCO could get to -185.9㏈c/㎐ at a 1-㎒ offset from a 10㎓ center frequency. New LC VCO topology consists of the on-chip spiral inductor, the varactor and the crosscoupled N and P-MOSFETs as negative conductance. The new LC VCO has exhibited wide tuning range without critical degradation of phase noise This design is very useful for the 10Gb/s clock and data recovery integrated circuit (IC) and SONET communication applications.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Circuit Design and Theory
3. Phase Noise Analysis
4. Simulation Results
5. Conclusions
Acknowledgments
References
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